Доведена можливість формування оптоелектроніки з використанням субфаз кремнію у вигляді квантових точок, ниток тощо конкретною реалізацією яких є кластерні сполуки (КС). Визначено геометрії КС кремнію (десятки атомоі) з використанням методу функціоналу електронної густини (ФЕГ) у його параметричній версії та за алгоритмом GAMESS. Для розглянутих систем, розраховані поляризуємості та дипольні моменти. Проаналізована можливість перетворення субфаз, типу "метал-напівпровідник" за рахунок зміни геометрії КС.
Ключові слова: оптоелектроніка, кластерні сполуки.
Possibility of formation of optoelectronics with use of subphases of silicon in the form of quantum points, threads and so forth which concrete realisation is proved are cluster compounds(CС). It isdefined geometry CС of silicon (ten atoms) with the method of use of functional electronic density (FED) in its parametrical version and behind algorithm GAMESS. For the considered systems, calculated polarizability and dipole moments. Possibility of transformation of subphases, type "metal-semiconductor" at the expense of change of geometry CС is analysed.
Keywords: optoelectronics, cluster compounds.
