В даній роботі в рамках нелокальної електростатики на прикладі n-Si-вакуум-Аu системи проаналізовано вплив зарядженої поверхні металу на розподіл потенціалу в області просторового заряду (ОПЗ) напівпровідника. Показано, що присутність на малих роздільних відстанях L<L ОПЗ (L ОПЗ - товщина ОПЗ) зарядженої поверхні металу може зумовити зміну напрямку вигину зони і виникнення потенціального бар"єру, параметри якого визначаються величиною від"ємного заряду на поверхні металу та товщиною L вакуумного проміжку між напівпровідником та металом.
Ключові слова: потенціальний бар"єр, потенціал сил зображення, нелокальна електростатика.
In this work in the framework of non-local electrostatics on an example is the n-Si-vacuum-Аи system the influence of the charged surface of metal on the potential distribution in the space charge region (SCR) is analysed. It is shown that the presence on the small separate distances L<L ОПЗ (L ОПЗ is the thickness of SCR) of the charged surface of the metal can stipulate the change of the direction of a bending of a zone and originating of a potential barrier, the parameters of which are determined by the value of a negative charge on a metal surface and by the thickness L of vacuum interval between a semiconductor and metal.
Key words: potential barrier, the image potential, non-local electrostatics
