В роботі представлені результати дослідження розподілу елементів по товщині плівок геретроструктур SnO2/Si легованих Pt та не легованих із застосуванням методики електронної оже-спектроскопії та методики іонного пошарового розпорошення. Товщина плівок, напорошених на кремнієву підкладку, складала 30 нм.
Ключові слова: плівка, гетероструктура, Оже-спектроскопія, іонна очистка.
In this work we present results of study of elements" distribution in films SnO2/Si heterostructure undopped and dopped with Pt thickness. The electronic Auger spectroscopy and method of ion layer sputtering were used. The thickness of films, sputtered on the silicon pad, was 30 nm.
Keywords: film, heterostructures, Auger spectroscopy, ion sputtering.
