Розглянуто методику приготування пористих шарів арсеніду галія за допомогою електрохімічного травлення. Досліджено особливості спектрів фотолюмінесценції (ФЛ) пористого GaAs в залежності від технологічних параметрів анодного травлення. Спостерігався ефект квантового-розмірного обмеження в екситонній системі нанокристалів GaAs. Мікроструктура поверхні пористого GaAs залежить від часу травлення, густини струму, хімічного складу травника.
The method of electrochemical etching of GaAs porous surface layers has been considered. The peculiarities of photoluminescence (PL) spectra of porous GaAs have been studied in dependence of technological parameters of electrochemical etching technique. The quantum confinement effect has been observed. The surface morphology of porous GaAs depends on etching time, current density, etching solution composition.
