В роботі представлено результати аналізу, які поясняють загальну тенденцію в особливостях процесу поширення тепла в напівпровідникових структурах з модифікованими властивостями приповерхневого шару при опроміненні їх коротким лазерним імпульсом.
In thepresent work the results explaining the general tendency in the peculiarities of the process of heat distribution in semiconductor structures with modified properties of surface layer under a pulse laser irradiation are presented.
