Modeling of capacitance-voltage characteristics for metal-dielectric-semiconductor contact with siicon nanoclusters layers inbuilded in isolator has been carried out. Physical model of structure, which can explain the negative differential capacitance appearance
have been created. Influence of the quantum states formed on the interfases of silicon clusters has been investigated. Key words: silicon nanoclusters, negative differential capacitance, capacitance-voltage characteristic.
Проведено моделювання вольт-фарадних характеристик для контакту метал-діелектрик-напівпровідник з вбудованими в діелектрик шарами кремнієвих кластерів. Побудовано фізичну модель структури, яка дозволяє пояснити виникнення в них негативної диференціальної ємності. Досліджено вплив на цей ефект квантових станів, що виникають на інтерфейсах кремнієвих кластерів.
Ключові слова: кремнієві нанокластери, негативна диференціальна ємність, вольт-фарадна характеристика.
