Показано в результаті розрахунку групової швидкості моди хвиль Лемба S[нижній індекс 0], що при певному співвідношенні між напрямком поширення хвилі та кристалографічною орієнтацією пластини, можливо контролювати товщину нарощуваного епітаксійного шару з точністю від 1 мкм до 10[у -3 ступені] мкм.
