В рамках нелокальної електростатики теоретично розраховано сумарний електростатичний потенціал Vj (x, АФ) в системі напівпровідник-вакуум-метал (НВМ), яка знаходиться в контакті. Показано, що основним чинником утворення подвійного електричного шару (ПЕШ) при формуванні випростуючого НВМ контакту є сильний вплив близько розташованого металу і зарядового стану його поверхні на формування області просторового заряду в напівпровіднику в НВМ системі до контакту. При переході НВМ структури у випростуючий контакт стабільність висоти запірного шару h (АФ) на межі напівпровідник-вакуум у площині їх контакту обумовлена незалежністю розподілу зарядового потенціалу в напівпровіднику від товщини L ПЕШ, тоді як висота потенціального бар"єра всередині вакуумної щілини збільшується зі збільшенням L відповідно до розподілу потенціалу сил зображення в ній.
Ключові слова: потенціальний бар"єр, нелокальна електростатика, випростуючий контакт.
In the framework of non-local electrostatics the electrostatic potential Vj (x, АФ) is calculated theoretically for the semiconductor-vacuum-metal (SVM) system, which is in the contact. It is shown that the basic factor of the double electric layer (DEL) formation in the case of the rectifying contact is the strong influence of the close located metal and the charge state of its surface on the space charge region formation in the semiconductor in SVM system before contact. The stability of the depletion layer height h (АФ) on the semiconductor/vacuum interface is caused by independence of the charge potential distribution in the semiconductor on the thickness L of the DEL, when the SVM structure forms the rectifying contact. At the same time the potential barrier height in the vacuum gap increases with the increase of L accord in to the image potential distribution in a semiconductor/metal vacuum interval
Key words: potential barrier, non-local electrostatics, rectifying contact.
