Методом скануючої тунельної спектроскопії на повітрі досліджена щільність електронних станів на поверхні наноструктурованого кремнію в залежності від товщини наноструктурованої плівки. Товщина плівки наноструктурованого кремнію визначалася методом електронної Оже-спектроскопії і в залежності від параметрів технологічного процесу хімічної модифікації поверхні монокристалічного кремнію змінювалася від 3 нм до 60 нм. Локальна щільність електронних станів визначалася як нормована диференціальна тунельна провідність (dI/dU)/(I/U). Вперше показано, що в процесі росту плівки наноструктурованого кремнію спектр електронних станів істотно змінюється. При цьому відбуваються немонотонні зміни, як типу провідності, так і ширини забороненої зони в залежності від товщини досліджуваної наноструктурованої плівки та параметрів процесу їх формування.
Ключові слова: монокристалічний кремній, наноструктурований кремній, скануюча тунепьна спектроскопія.
Research of local density of electronic conditions in the layers ofnanostructured silicon depending on thickness of investigated layers has been carried out using a method of scanning tunnel spectroscopy on air. Thickness of nanostructured silicon layer was defined by means of Auger electronic spectroscopy and was changing from 3nm up to 60nm depending on parameters of technological process during chemical modification of single-crystal silicon surface. The local density of electronic conditions was defined as normalized differential tunnel conductivity (dl/dU)/(I/U). For the first time it was shown, that during growth of a nanostructured layer of silicon the spectrum of electronic conditions essentially changes. At the same time there were nonmonotonic changes, both in type of conductivity, and in width of the forbidden zone depending on the thickness and parameters of growth of an investigated layer
Key Words: single-crystal silicon, nanostructured silicon, scanning tunnel spectroscopy.
