Вивчено природу парамагнітних центрів, які утворюються в монокристалах кремнію вирощених методом Чохральського, після їх високотемпературної обробки в інтервалі 650-1100 С та повторної термообробки при 1150 C. За даними одержаними на основі вимірювання магнітної сприйнятливості (МС) встановлено температурні інтервали зростання та зменшення концентрації парамагнітних центрів. Методом трикристальної дифрактометрії досліджено вміст домішково-структурних комплексів у цих кристалах та визначено радіуси і концентрації кластерів та дислокаційних петель. Встановлено, що виявлені зміни магнітної сприйнятливості пов"язані з генерацією кисневмісних кластерів та дислокаційних петель.
Ключові слова: кремній, парамагнітний центр, дифрактометрія.
The nature of paramagnetic centers formed in Cz-Si mono-crystals after their high-temperature treatment in the range of 650-1100 С and repeated temperature treatment at 1150°С are studied. On the basis of magnetic susceptibility (MS) measurements, the regions of increasing and decreasing of paramagnetic center concentration are established. The amount of impurity-structural complexes in these crystals is investigated by the method of three-crystal diffractometry. The radii and concentration of clusters and dislocation loops are determined. It is found that obtained MS changes are connected with the generation of oxygen-related clusters and dislocation loops.
Key Words: silicon, of paramagnetic center, diffractometry.
