Обчислено внесок у фотогальванічний тензор від бінарного комплексу для кристалів класу 3 m. У ролі такого кристалу виступає, зокрема, кристал LiNbO 3, який широко застосовується у голографії як фоточутливий матеріал. Чисельно отримані частотні залежності для компонент фотогальванічного тензору у випадках бінарного та пірамідального комплексів. Всі розрахунки проводилися на основі точного розв"язку задачі про бінарний фотогальванічний комплекс.
