Розглянута теоретична модель провідності в неметалевому кристалі з одним рівнем акцепторів та одним рівнем домішок, що компенсують його заряд при врахування одночасної електронної та діркової провідності. Знайдені аналітичні вирази для швидкості діелектричної релаксації; суми швидкостей фото, темнової генерації та іонної рекомбінації; швидкості електронної рекомбінації; швидкості зростання поля дрейфу; швидкості зростання поля дифузії та першої просторової гармоніки поля просторового заряду в наближенні квазісильної компенсації. Досліджено динаміку цих параметрів. Пояснено її двоекспоненційний вигляд.
