діод Шотткі (також правильно Шоткі) ; дифузія, диффузия ; дифузія в металах, диффузия в металлах

Експериментально показано, що термічному відпалі (Т=310-370°С) структур сформованих напиленням Pt на GaАs при 300°С, границя поділу Pt-GaАs зсувається відносно свого вихідного положення внаслідок дифузії напівпровідника в метал. Ця дифузія суттєво не впливає на склади контактуючих областей і висота бар"єра Шотткі залишається відносно стабільною. Зміни ВАХ структур при відпалі пов"язуються зі змінами внеску додаткового механізму струму.

Вісник Київського національного університету імені Тараса Шевченка [Текст]. — Київ : Київський університет, 2000. — 2000. — 75 с.

• Окремі фонди та колекції КНУ // праці авторів КНУТШ, труды авторов КНУТШ, работы авторов КНУТШ