наночастинки, наночастицы ; спектроскопія, спектроскопия, spectroscopy

Метод імплантації іонів Со в кремній і відпал при температурах, які сприяють збиранню Со в преципітати та формуванню частинок Со/СоSi2 наночастинок та кремнієвих наночастинок між ними. З аналізу ТЕМ поперечного перерізу кремнієвих пластин було доведено,що нанодрот формується вздовж поверхневого шару та паралельно йому на глибині, що дорівнює глибині проникнення іонів Со з енергією 80кеВ у кремній (-100 нм). Розмір Со/СоSi2 наночастинок змінюється від 15 до 60 нм, а розмір наночастинок кремнію між нимивід 5 до 30 нм.

Вісник Київського національного університету імені Тараса Шевченка [Текст]. — Київ : Київський університет, 2000. — 2000. — 75 с.

• Окремі фонди та колекції КНУ // праці авторів КНУТШ, труды авторов КНУТШ, работы авторов КНУТШ