напівпровідники, полупроводники ; фотоелектричні взаємодії в напівпровідникових структурах ; фотопровідність, фотопроводимость

З метою визначення типу рекомбінації носіїв заряду досліджувались світлові характеристики в різних точках спектра фотопровідності зразка Ge. Виявилось, що в області максимуму спектра фотопровідності фотострум пропорційний кореню квадратному з інтенсивності збуджувального випромінювання, тобто рекомбінація є квадратичною. У короткохвильовій області спектра спостерігалися лінійні світлові характеристики. Показано, що перехід до лінійної світлової характеристики зумовлений великою швидкістю при поверхневої рекомбінації.

Вісник Київського національного університету імені Тараса Шевченка [Текст]. — Київ : Київський університет, 2000. — 2000. — 75 с.

• Окремі фонди та колекції КНУ // праці авторів КНУТШ, труды авторов КНУТШ, работы авторов КНУТШ