Досліджено виникнення мікроплазми в p-n переходах структур, виготовлених за технологією "Кремній на ізоляторі" (КНІ). Показано, що при струмах 10 5 А/см2 у КНІ структурах виникають мікроплазми, на ВАХ з"являється S-подібна ділянка і виникають шумові коливання спаду напруги. Одночасно з цим спостерігається поява в зоні p-n переходу мерехтливої точки, що світиться. Подальше збільшення струму призводить до виникнення в зоні мікроплазми шнура струму.
The appearing of microplasma in p-n junctions of structures are made on SOI technology is studied It is shown that under currents about 10 5 А/см2 in SOI structures arise microplasmas, the S-shaped region appears on the I-V curve and noise fluctuations of voltage drop. At the same time in the p-n area an appearance of shimmering point which glows is observed. Further increasing of current causes to the appearing of current pinch in the microplasma"s area.
