За допомогою методів дифракції повільних електронів, фото- та оже- електронної спектроскопій досліджено зміну електронних властивостей (роботи виходу, загину зон поблизу поверхні, густини електронних станів поблизу рівня Фермі) поверхні Ge(113)-(3xl) при адсорбції на ній атомів Sb. Показано, що на початкових стадіях адсорбції атомів Sb на поверхні Ge(113)-(3xl) при кімнатній температурі (O sh<0.8MШ) та при відпалі поверхні Ge(113) з O sh>1MШ (450С) поведінка роботи виходу може бути пояснена зміною загину зон поблизу поверхні, що обумовлено ефектами пов"язаними з вбудовуванням атомів Sb в гратку атомів Ge.
The electronic properties (work function, surface band bending, density of electronic stales near Fermi level) of the Ge(113)-(3xl) surface were investigated using electron spectroscopy methods during adsorption of Sb atoms on it. It is shown, that on the beginning stages of Sb atoms adsorption onto Ge(113)-(3xl) surface under room temperature (O sh<0.8ML) and during annealing of Ge(113) surface with several monolayers of Sb on it (450C), the behavior of work function can be explained by the change of band bending near the surface because of the build-in effect of Sb atoms into the Ge lattice.
