|
-
Ключові слова:
крапчасті дефекти кристалів, точечные дефекты кристаллов ; моделювання, моделирование, modelling ; напівпровідникові кристали, полупроводниковые кристалы
-
Анотація:
Для моделювання точкових дефектів у напівпровідникових кристалах нами було розроблено програмний комплекс відновлення тривимірного зображення кристалу з серії знімків у інфрачервоних променях. В програмному комплексі існує можливість налаштування параметрів розпізнавання та отримання інформації про кількість дефектів певних груп у вигляді гістограм. Також можна відфільтрувати дефекти конкретної групи у результуючому тривимірному зображенні.
The program complex for point defects modeling at semiconductor crystals was developed. It was intended for designing of crystal three-dimensional image from the infrared photos series. In the program complex there is a possibility of recognition parameters adjustment and obtaining the information of point defectsfrom certain groups in the form of histograms. Also it is possible to filter the defects of specific group in the outgoing three-dimensional image.
-
Є складовою частиною документа:
-
Теми документа
-
Окремі фонди та колекції КНУ // праці авторів КНУТШ, труды авторов КНУТШ, работы авторов КНУТШ
| 