Розглянуто симетрію ексигонних зон в кристалі TlGaS2 для двох можливих груп симетрії даного кристалу. Побудовані кореляційні діаграми для груп симетрії D2h та D4h. Розраховані правила відбору для екситонних переходів. Зроблено висновок, що найбільш принадною групою симетрії для опису властивостей кристалу TlGaS2 є група D2h.
The symmetry of exciton band in the TlGaS2 crystal was discussed. It was considered the two possible group of symmetry for this crystal. The correlation diagrams for two group of symmetry D2h and D4h was building. The selection rules for exciton transitions was calculated. It was considered that the TlGaS2 crystal may be described by group of symmetry D2h best of all.
