дефекти, дефекты ; радіоелектронні засоби озброєння, радиоэлектронные средства вооружения ; фотоелектричні перетворювачі, фотоэлектрические преобразователи
Розглянуто основні дефекти конструкції, що мають місце в кремнієвих фотоелектричних перетворювачах. На підставі вимірювання вольтамперної характеристики та аналізу її| параметрів запропоновано методику визначення найбільш вірогідних дефектів за допомогою порівняння з комбінацією параметрів еталонних фотоперетворювачів. Отримані результати доцільно використовувати при аналізі та налаштуванні технологічних процесів серійного виробництва моно- та мультікремнієвих фотоперетворювачів, що застосовуються у складі фотоелектричних систем живлення радіоелектронних засобів озброєння.
Рассмотрены основные дефекты конструкции, которие имеют место в кремниевых, фотоэлектрических преобразователях. На основании измерения вольтамперной характеристики и анализа ее параметров предложена методика определения наиболее достоверных дефектов с помощью сравнения с комбинацией параметров зталонных фотопреобразователей. Полученные результаты целесообразно использовать при анализе и настройке технологических процессов серийного производства моно- и мультикремниевых фотопреобразователей, что применяются в составе фотозлектрических систем питания радиозлектронных средств вооружения.
There are viewed the main defects of the construction which take place in siliceous photoelectrim converters. Due to instrumentation of current-voltage characteristics and analysis of its parameters Щ method of determination of the most reliable defects is offered by comparing with a combination parameters of the standard photo converters . It is expedient to use the results when drawing on th results for an analysis and tuning of technological processes of mass mono- and multi-stticeou production of the photo converters, that are used within a composition of the photo-electric systems ojj power supply of the radio-electronic facilities of armament.
