Магнітооптичними та електричними методами досліджувались характеристики спінового транзистора із вбудованим спіновим клапаном. Проаналізовані можливості покращення енергетичних характеристик такого функціонального пристрою шляхом оптимізації режиму перемагнічування спінового клапана та використання в ньому додаткового магнітного шару із зменшеним пороговым полем переключення.
Characteristics of the spin transistor (ST) with incorporated spin-valve (SV) were investigated by magneto-optical and electricmethods. The possibilities of energy characteristics improvement of such a functional device were analized towards optimization of the SV remagnetization mode and use of the additional magnetic layer with a decreased threshold of the switching field.
