За допомогою ультрафіолетової фотоелектронної спектроскопії досліджено формування Cu/Si інтерфейсів при адсорбції Cu на впорядкованих та на розупорядкованих бомбардуванням іонами Ar+ поверхнях Si(100). Установлено, що на розупорядкованій поверхні Si(100) формування об"ємно подібної структури валентної зони мідного покриття проходить значно повільніше, ніж на упорядкованій Si(100)2х1 поверхні. Це уповільнення пояснюється збільшенням швидкості взаємної дифузії атомів міді й кремнію внаслідок зменшення енергії міжатомного зв"язку в розупорядкованому кремнії та існуванням градієнтів механічних напруг на межах упорядкованих і розупорядкованих областей, що прискорює дифузію міді в кремній.

Вісник Київського університету [Текст]. — Київ, 2000. — 2000. — 549 с.

• Окремі фонди та колекції КНУ // праці авторів КНУТШ, труды авторов КНУТШ, работы авторов КНУТШ