інтерфейси, интерфейсы ; дисоціація, диссоциация, dissociation

Dissociation of chemisorbed O2 molecule on perfect Ge-Ge addimers of GexSi1-x/Si(001) interface was investigated using ab initio calculations. Dissociation barrier of adsorbed O2 on perfect Ge-Ge addimers of GexSi1-x/ Si(001) interface is 1,99 eV. O2 dissociation is accompanied by spin conversions.

Використовуючи розрахунки з перших принципів ab initio досліджено дисоціацію хемаосорбовної молекули О2 на чистих Ge-Ge аддиммерах поверхні GexSi1-x/Si(001). Бар'єр для дисоціації становить 1.99 еВ. Дисоціація молекули O2 супроводжується зміною спінового стану системи.

Вісник Київського національного університету імені Тараса Шевченка [Текст]. — Київ : ВПЦ "Київський університет", 2006. — 2006. — 109 с.

• Окремі фонди та колекції КНУ // праці авторів КНУТШ, труды авторов КНУТШ, работы авторов КНУТШ