|
Автор: Gulaga Y., Ilchenko V., Kravchenko O., Shyshkin M., Telega V.
-
Ключові слова:
адсорбція, адсорбция ; десорбція, десорбция ; кінетика, кинетика ; напівпровідникові гетероструктури
-
Анотація:
The kinetics of current through gas sensitive heterostructure SnO2 - Si as a n-p-heterojunction were investigated. It was shown that the adsorption or desorption of water molecules from the surface of heterostructure under the influence of constant voltage can be divided into 2 subprocesses: fast and slow. The time constant of these subprocesses differs by about ten times of each other.
У роботі досліджувалася кінетика струму через газочутливу гетероструктуру, яка являє собою n-p-гетероперехід SnO2 - Si. Було показано, що процес адсорбції або десорбції молекул води з поверхні гетероструктури під дією сталої напруги можна розділити на 2 підпроцеси: швидкий та повільний зі значеннями сталих часу, які відрізняються на порядок.
-
Є складовою частиною документа:
-
Теми документа
-
Окремі фонди та колекції КНУ // праці авторів КНУТШ, труды авторов КНУТШ, работы авторов КНУТШ
| 