|
-
Ключові слова:
напівпровідники на основі кремнію, полупроводники на основе кремния ; адсорбція, адсорбция ; мікроелектроніка, микроэлектроника, mikroelektronika
-
Анотація:
За допомогою ультрафіолетової фотоелектронної спектроскопії досліджено формування Ag/Si інтерфейсів при адсорбції Ag на впорядкованих та розупорядкованих бомбардуванням іонами Ar[верхній індекс +] поверхнях Si(100). Установлено, що на розупорядкованих поверхнях Si(100) формування електронної структури, характерної для 4d зони об"ємного Ag, проходить значно повільніше, ніж на кристалічних Si(100)-2xl поверхнях.
-
Є складовою частиною документа:
-
Теми документа
-
Окремі фонди та колекції КНУ // праці авторів КНУТШ, труды авторов КНУТШ, работы авторов КНУТШ
|
