Зведений каталог бібліотек Києва
АдсорбціямКоваль, І. П. Адсорбція молекулярного кисню на поверхні Sb/Si(001) [Текст] / І.П. Коваль, В.В. Лапоша, Ю.А. Лень, М.Г. Находкін // Вісник Київського університету. — Київ, 2000. — 2000. — С. 307-313.
- Ключові слова:
- Анотація:
Експериментально показано, що пасивація поверхні кремнію одним моношаром сурми спричиняє насичення поверхневих обірваних зв"язків і робить поверхню інертною до окислення молекулярним киснем при комнатній температурі при малих експозиціях кисню. При експозиціях [більше або дорівнює] 10[верхній індекс 6] Л в оже-спектрах системи Sb/Si(001)+O[нижній індекс 2] реєструються оже-лінії окисленого кремнію, що свідчить про формування Si-O-Si структури. Експериментальні спостереження свідчать, що при великих експозиціях кисню можливе формування оксидів сурми.
- Є складовою частиною документа:
Вісник Київського університету [Текст]. — Київ, 2000. — 2000. — 549 с.
- Теми документа