Зведений каталог бібліотек Києва

 

АдсорбціямКоваль, І. П.
    Адсорбція молекулярного кисню на поверхні Sb/Si(001) [Текст] / І.П. Коваль, В.В. Лапоша, Ю.А. Лень, М.Г. Находкін // Вісник Київського університету. — Київ, 2000. — 2000. — С. 307-313.


- Ключові слова:

адсорбція, адсорбция ; кремній, кремний ; поверхневі явища в напівпровідниках, поверхностные явления в полупроводниках ; реакції окиснення, реакции окисления

- Анотація:

Експериментально показано, що пасивація поверхні кремнію одним моношаром сурми спричиняє насичення поверхневих обірваних зв"язків і робить поверхню інертною до окислення молекулярним киснем при комнатній температурі при малих експозиціях кисню. При експозиціях [більше або дорівнює] 10[верхній індекс 6] Л в оже-спектрах системи Sb/Si(001)+O[нижній індекс 2] реєструються оже-лінії окисленого кремнію, що свідчить про формування Si-O-Si структури. Експериментальні спостереження свідчать, що при великих експозиціях кисню можливе формування оксидів сурми.

- Є складовою частиною документа:

- Теми документа

  • Окремі фонди та колекції КНУ // праці авторів КНУТШ, труды авторов КНУТШ, работы авторов КНУТШ



Наявність
Установа Кількість Документ на сайті установи
Наукова бібліотека ім.М.Максимовича Київського національного університету імені Тараса Шевченка   Перейти на сайт