|
Автор: Весна Г.В., Дегода В.Я., Казо І.Ф., Кияк Б.Р., Кучакова Т.О., Макара В.А.
-
Ключові слова:
крапчасті дефекти кристалів, точечные дефекты кристаллов
-
Анотація:
Показано, що при релаксації внутрішніх напруг в полікристалах ZnSe відбувається генерація власних точкових дефектів, що приводить до збільшення темнової провідності (ТП), але характер вольтамперних характеристик (ВАХ) при цьому не змінюється. З одержаних експериментально температурних залежностей ТП в зрелаксованому та незрелаксованому полікристалічному ZnSe встановлено, що при кімнатній температурі ТП визначається центрами, які мають локальний рівень на глибині ~ 0,7 eB, що відповідає локальному рівнювакансії цинку в ZnSe.
-
Є складовою частиною документа:
-
Теми документа
-
Окремі фонди та колекції КНУ // праці авторів КНУТШ, труды авторов КНУТШ, работы авторов КНУТШ
|
