|
Автор: Золотаренко П.В., Бенілов А.І., Бойко Ю.В., Попова Г.Д., Горчинський О.Д., Бузанева Є.В.
-
Ключові слова:
нанокомпозити, нанокомпозиты ; напівпровідники на основі кремнію, полупроводники на основе кремния ; поверхневі явища в напівпровідниках, поверхностные явления в полупроводниках ; структурна характеристика, структурная характеристика, structural feature
-
Анотація:
За допомогою тунельного скануючого мікроскопу досліджено зображення поверхні нанокомпозитів Si:SiO[нижній індекс X](Si[нижній індекс Z]O[нижній індексY]Al), зформованих з поруватого кремнію на n(p)-Si підкладинках, а також провідність наноструктур Pt вістря /Si нанокомпозит /n(p)-Si підкладинка. Використовуючи тунельні вольтамперні характеристики та диференціальні характеристики таких наноструктур, визначені параметри зонної структури нанокомпозитів, зокрема ширина заборонної зони нано-Si. Встановлено зв"язок між складом нанокомпозита (XPS, IR спектроскопії) та параметрами зонної структури утворених нано-Si/SiO[нижній індекс X] та нано-Si/Si[нижній індекс Z]O[нижній індексY]Al переходів. Порівняння результатів з дослідженнями провідності та ємності мікроструктури W зонд / Si нанокомпозит / n(p) - Si підкладинка підтвердило визначену зонну структуру.
-
Є складовою частиною документа:
-
Теми документа
-
Окремі фонди та колекції КНУ // праці авторів КНУТШ, труды авторов КНУТШ, работы авторов КНУТШ
|
