|
Автор: Дмитрук М.Л., Михайлик Т.А., Горя О.С, Вагнер Т., Колесник М.О.
-
Ключові слова:
електронна структура (електронна структура виробу), електронная структура (электронная структура изделия) ; оптичні властивості, оптические свойства ; тонкі плівки, тонкие пленки, thin films
-
Анотація:
Діелектрична функцій надграток (НГ) GaAs/GaP[нижній індекс x]As[нижній індекс 1-x] (x = 0.2-0.4) була визначена за допомогою спектральної еліпсометрії. Енергії критичних точок E[нижній індекс 1], E[нижній індекс 1]+[Дельта з нижнім індексом 1] для GaAs та E[нижній індекс 1] для твердого розчину GaP[нижній іендекс x]As[нижній індекс 1-x] були визначені з другої похідної діелектричної функції. За допомогою інтерференції визначена сумарна товщина надгратки. Для теоретичного розрахунку використана дисперсійна модель Коші.
-
Є складовою частиною документа:
-
Теми документа
-
Окремі фонди та колекції КНУ // праці авторів КНУТШ, труды авторов КНУТШ, работы авторов КНУТШ
|
