методи вимірювання, методы измерения ; поверхневі явища в напівпровідниках, поверхностные явления в полупроводниках

В напівпровідникових гетероструктурах, виготовлених за технологією молекулярної епітаксії, квантові ефекти можуть виявляти себе в процесах переносу вільних носіїв заряду на макроскопічному рівні. Ці ефекти є предметом фундаментальних досліджень в сучасній фізиці і основою створення нових мікроелектронних приладів з підвищеною швидкодією. В даній роботі запропонована нова методика визначення рухливості вільних носіїв заряду в струмопровідних каналах таких гетероструктур. Цей параметр є найважливішим з тих, які треба контролювати при відпрацюванні технології їх виготовлення.

Вісник Київського університету імені Тараса Шевченка [Текст]. — Київ : Київський університет, 1998. — 1998. — 81 с.

• Окремі фонди та колекції КНУ // праці авторів КНУТШ, труды авторов КНУТШ, работы авторов КНУТШ