напівпровідники на основі кремнію, полупроводники на основе кремния ; фізика напівпровідників, физика полупроводников

Досліджено вплив умов формування барієвосилікатних фаз в системі ВаО-SiО[нижній індекс 2] на їх фізико-хімічні та електричні властивості. Термодинамічна стабільність сформованої фази лінійно залежить від співвідношення вихідних оксидів. При близьких значеннях енергії утворення більш вірогідним є зародження і ріст простих фаз з меншим числом атомів: Ва[нижній індекс 2]SiО[нижній індекс 4] або ВаSiО[нижній індекс 3]. Визначено оптимальні умови синтезу ортосилікатної фази та її основні електричні параметри.

Вісник Київського університету імені Тараса Шевченка [Текст]. — Київ : Київський університет, 1997. — 1997. — 128 с.

• Окремі фонди та колекції КНУ // праці авторів КНУТШ, труды авторов КНУТШ, работы авторов КНУТШ