|
Автор: Булавенко С.Ю., Зосим М.Л., Лисенко В.М., Мельник П.В., Находкін М.Г.
-
Ключові слова:
електронна спектроскопія, электронная спектроскопия ; напівпровідникові гетероструктури ; поверхневі явища в напівпровідниках, поверхностные явления в полупроводниках ; структурні перетворення, структурные преобразования
-
Анотація:
Адсорбований при кімнатній температурі Ві утворює острівці атомної товщини в усіх ділянках комірки Sі(111)7х7, крім кутових ям і димерів. Прогрів до 400[градусів]С знищує острівці і вбудовує Ві переважно на дефектній половині комірки в позиціях центральних адатомів. Місце вбудовування суттєво не впливає на густину електронних станів Ві. Вбудовування Ві викликає зменшення густин електронних станів: зайнятих - над сусідніми адатомами Sі, вільних - над Ві в деяких позиціях. При прогріві відбувається часткова (550[градусів]С) та повна (700[градусів]С) десорбція Ві. Утворені вакансії інтенсивно заліковуються атомами Sі.
-
Є складовою частиною документа:
-
Теми документа
-
Окремі фонди та колекції КНУ // праці авторів КНУТШ, труды авторов КНУТШ, работы авторов КНУТШ
|
