напівпровідники на основі кремнію, полупроводники на основе кремния ; поверхневі явища в напівпровідниках, поверхностные явления в полупроводниках ; фотоелектронна емісія
За допомогою методів електронної спектроскопії досліджено електронні властивості адсорбційної системи Ge(113):As і характерні їй поверхневі структури 1x1 та 2x1. Визначені умови утворення цих надструктур і роботи виходу, які характерні для них ([приблизно дорівнює]5,05 еВ і [приблизно дорівнює]4,18 еВ, відповідно). Запропоновано робочу модель, яка пояснює поведінку електронних властивостей системи Ge(113):As.
The electronic properties of the Ge(113):As adsorption system and their characteristic surface structure lxl and 2x1 were investigated using electron spectroscopy methods. The preparation conditions of these superstructures and their work functions ([equals approximately]5.05 eV and [equals approximately]4.18 eV, accordingly) are determined. Thepreliminary model which explain the electronic properties of the Ge(113):As system is proposed.
