|
-
Ключові слова:
напівпровідники на основі кремнію, полупроводники на основе кремния ; структурні перетворення, структурные преобразования ; фізика напівпровідників, физика полупроводников
-
Анотація:
В роботі досліджено виникнення високопольового домена в структурах, виготовлених за технологією "кремній з діелектричною ізоляцією" (КСДІ). Показано, що за наявності неврівноважених електронів і дірок та суттєвому неоднорідному розігріві в структурах КСДІ утворюється високопольова область. Механізм її утворення аналогічний механізму утворення термічного градієнтно-дрейфового домена (ТГД-домена) і пов"язаний з b-дрейфом електронно-діркових пар.
In this work the occurrence of high-field domain in structures produced by the technology "silicon with dielectric isolation" (SDI) was investigated. It was shown that the presence of unbalanced electrons and holes and significant nonuniform heating causes the appearance of high-field region in the SDI structures. The mechanism of its formation is similar to the mechanism of formation of the thermal gradient-drift domain (TGD domain) and is connected with b-drift of electron-hole pairs.
-
Є складовою частиною документа:
-
Теми документа
-
Окремі фонди та колекції КНУ // праці авторів КНУТШ, труды авторов КНУТШ, работы авторов КНУТШ
| 