тонкі оксидні плівки, тонкие оксидные пленки ; багатошарові структури, многослойные структуры ; оптичні властивості, оптические свойства
Досліджено спектральні властивості чверть хвильових інтерференційних структур з трьома пів хвильовими прошарками при нормальному і похилому падінні світла. Структури складаються з шарів оксиду кремнію (SiO[нижній індекс 2]) та оксиду титану (TiO[нижній індекс 2]). Показано, що спектральні характеристики суттєво залежать від поляризації світла при кутах падіння більших 20[градусів]. Розщеплення смуг прозорості, обумовлених пів хвильовими резонаторами, а також ширина фотонної забороненої зони, зменшуються для s-поляризації і збільшуються для р-поляризації при збільшенні кута падіння. При цьому в обох випадках відбувається короткохвильовий зсув спектральних характеристик.
Spectral properties of quarter-wave interference structures with three half-wave layers at normal and slopping light incidence were investigated. Structures consist of layers of silicon oxide (SiO[lower index 2]) and titan oxide (TiO[lower index 2]). It was found that spectral descriptions substantially depend on polarization of lightat the angles of incidence of greater 20[degree]. Breaking up of transmittance bands, conditioned half wave resonators, and also width of photonic forbidden zone decreased for s-polarization and increased for p-polarization at the increase of angle of incidence. Thus there is a shot-wave displacement in both cases.
