акустична емісія, акустическая эмиссия ; гетероепітаксіальні структури, гетероэпитаксиальные структуры

В роботі викладені результати експериментального дослідження релаксації поперечної акустоелектричної напруги (ПАН) в епітаксіальних структурах GaAs:Te. Вивчалися: а) внесок окремих типів глибоких центрів в загальний сигнал ПАН при використанні приймальних електродів різних площ; б) параметри таких центрів. Проведено співставлення отриманих даних з літературними.

Вісник Київського університету імені Тараса Шевченка [Текст]. — Київ : Київський університет, 1996. — 1996. — 167 с.

• Окремі фонди та колекції КНУ // праці авторів КНУТШ, труды авторов КНУТШ, работы авторов КНУТШ