У роботі проводиться дослідження процесу каналювання релятивістських електронів у заряджених площинах іонного кристалу LiF, зокрема показується, що при переході в цьому кристалі до високоіндексних кристалографічних площин відбуваються інверсії потенціальних ям у потенціальні бар'єри. Досліджується також вплив температурного фактора на структури потенціалів взаємодії релятивістських електронів з такими високоіндексними зарядженими площинами. У випадку заряджених площин (111) проводиться аналітичний розрахунок енергетичних рівнів і спектральних інтенсивностей, а на їх основі здійснюється ідентифікація спектральних ліній з експериментально існуючими спектрами випромінювання. Робиться акцент на позитроноподібність орієнтаційного руху електронів в заряджених кристалографічних площинах.
The paper deals with the investigation of the channeling process of relativistic electrons in charged planes of LiF ionic crystal, besides it is shown that at the transition to high-indices crystallographic planes in this crystal the inversions of potential pits into potential barriers occurs. It is also investigated the influence of temperature factor on the structures of interaction potentials of relativistic electrons with such high indices charged planes. In the case of the charged planes (111) the analytic calculation of energy levels and spectral intensities is made and the identification of spectral lines to experimentally existing spectral radiations is carried out on their basis.
