епітаксійні шари, эпитаксиальные слои, epitaxial layer ; монокристали, монокристаллы, monocrystal
В роботі досліджені високочастотні характеристики резонаторів мм-діапазону з монокристалічного об'ємного матеріалу BaFe11.1Al0.9O19 та епітаксійних плівок барієвого гексафериту заміщеного алюмінієм. Показано, що модовий склад спектру манітостатичних коливань (МСК) монокристалічного резонатора з BaFe11.1Al0.9O19 при насиченні та в області багатодоменності (випадок ЦМД) помітно відрізняється від резонаторів з BaFe12O19. Особливо ця відмінність помітна при насиченні, де для резонатора з заміщеного гексафериту експериментально спостерігалася значно інтенсивніша основна мода [omega]0 у порівнянні з вищими модами МСК. Мода (1,1,0) обчислена теоретично в магнітостатичному наближенні на експерименті не спостерігається. Показано, що в результаті заміщення алюмінію, поле анізотропії На в монокристалічних резонаторах при тому ж параметрі заміщення вище ніж у епітаксіальних плівках.
High-frequency characteristics of mm-range resonators produced from bulk single-crystal material BaFe11.1Al0.9O19 and epitaxial films of barium hexaferrite doped with aluminium have been investigated in this study. It was shown that the composition of magnetostatic (MS) oscillations modes spectrum of the single-crystal resonator from BaFe11.1Al0.9O19 in a saturated state and in multidomain area (a case of cylindrical magnetic domain (CMD)) notably differs from resonators of BaFe12O19. Especially this difference is evident in a saturated state, when for the substituted hexaferrite resonator a more intensive fundamental mode [omega]0 compared with higher MS oscillation modes has been experimentally observed. The mode (1,1,0) was theoretically calculated in the magnetostatic approximation and was not observed experimentally. As a result of aluminium substitution is that the anisotropy field На in single-crystal resonators, with the same parameter of substitution, is higher than in epitaxial films.
