багатошарові структури, многослойные структуры ; спектроскопія кристалів, спектроскопия кристаллов, spectroscopy of crystals
Досліджено спектральні характеристики пропускання і просторовий розподіл електричного поля на частотах дозволених зон, що виникають в просторово-обмежених 1-D фотонних кристалах з трьома пів хвильовими дефектами. Фотонний кристал містить 49 шарів оксидів кремнію і титану, що чергуються. Встановлено, що електричне поле концентрується в середині дефектних шарів з меншою діелектричною проникністю. Показано, що збільшення різниці в товщині резонаторів, що утворюють дефекти фотонного кристалу, приводить до суттєвого просторового перерозподілу електричного поля в області резонаторів.
Spectral descriptions of transmission and spatial distribution of the electrical field are investigational on frequencies of the settled zones that arise up in spatially-limited 1-D photonic crystals with three half wave defects. A photonic crystal contains 49 layers of oxides of silicon and titan, which alternate. It is set that the electric field is concentrated in a middle imperfect layers with low inductivity. It is shownthat the increase of difference in the thickness of resonators that form defects results in the substantial spatial redistribution of electric-field in area of resonators.
