|
-
Ключові слова:
інжекція, инжекция ; напівпровідники на основі кремнію, полупроводники на основе кремния ; спінова рекомбінація в напівпровідниках, спиновая рекомбинация в полупроводниках ; фізика напівпровідників, физика полупроводников
-
Анотація:
Дослідження зміни поляризації зарядів на границі феромагнітного Fe з напівпровідниковим Si виконувалось при відсутності або наявності бар"єрного прошарку SiO[нижній індекс 2]. Підтверджена можливість спінової інжекції в Si для створення кремнієвих пристроїв спінтроніки.
Studying of the electric carriers polarization changes on interface of ferromagnetic Fe and semiconducting Si were done in case of ansence or availability of the SiO[lower index 2] sublayer barrier. It was confirmed the possibility of spin injection to Si in order to design the silicon spintronics devices.
-
Є складовою частиною документа:
-
Теми документа
-
Окремі фонди та колекції КНУ // праці авторів КНУТШ, труды авторов КНУТШ, работы авторов КНУТШ
| 