|
Автор: Ільченко В.В., Кузнєцов Г.В., Панічевська В.І., Стріха В.І., Тарасенко С.О.
-
Ключові слова:
електрофізичні властивості матеріалів, электрофизические свойства материалов ; кремнієві структури, кремниевые структуры ; молібден, молибден ; титан
-
Анотація:
Показано, що в залежності від товщини прошарку титану змінюється висота потенціального бар"єра Шоттки, і параметри вольт-амперних характеристик наближаються до теоретично можливих. На основі аналізу експериментальних вольт-ємнісних характеристик встановлено, що електронні стани межі поділу, які змінюються при появі в системі прошарку титану, значно впливають на перенос заряду.
-
Є складовою частиною документа:
-
Теми документа
-
Окремі фонди та колекції КНУ // праці авторів КНУТШ, труды авторов КНУТШ, работы авторов КНУТШ
|
