Опис документа

Досліджено спектральні характеристики пропускання і просторовий розподіл електричного поля на частотах трьох дозволених зон, що виникають в просторово-обмежених 1-D фотонних кристалах з трьома півхвильовими дефектами різної природи. Фотонний кристал утворений шарами оксидів кремнію і титану, що чергуються. Встановлено, що електричне поле концентрується в середині півхвильових резонаторів з меншою діелектричною проникністю (SiO[нижній індекс 2]) і на межах півхвильових резонаторів з більшою діелектричною проникністю (ТiO[нижній індекс 2]). Показано, що на частоті центральної дозволеної фотонної зони електричне поле мінімізується в середині центрального резонатору і концентрується в бічних резонаторах.

Spectral characteristics of transmittance and spatial distribution of electric-field were investigated on frequencies of three allowed zones that arise up in spatially-limit 1-D photonic crystals with three half-wave defects of different nature. A photonic crystal consists the layers of oxides of silicon and titan that alternate. It is set that the electric field is concentrated in a middle of half wave resonators with a less inductivity (SiO[lower index 2]) and on limits of half wave resonators with a greater inductivity (TiO[lower index 2]). It is shown that on frequency of the central allowed photonic zone the electric field is minimized in a middle of central resonator and concentrated in lateral resonators.