електронні явища, электронные явления ; поверхневі явища в напівпровідниках, поверхностные явления в полупроводниках ; тонкі плівки напівпровідників, тонкие пленки полупроводников ; фізика напівпровідників, физика полупроводников
За допомогою методів електронної спектроскопії (ФЕС, ОЕС та ДПЕ) досліджено структурні та електронні властивості атомарно чистої поверхні Si(113) та системи Sb/Si(1ІЗ). Встановлено, що адсорбція Sb на поверхні Si(113) приводить до зміни роботи виходу поверхні за рахунок зміни ефективної електронної спорідненості поверхні та загину зон поблизу поверхні. При відпалі системи Sb/Si(113) в діапазоні 20[градусів] - 750[градусів за Цельсієм] утворюються поверхневі фази 1х1 ([Тета]Sb [приблизно дорівнює] 1,3 МШ), 1x2 ([Тета]Sb [приблизно дорівнює] 1,0 МШ), 1хn (n=3…4, [Тета]Sb [приблизно дорівнює] 0,5 МШ) з характерними значеннями загину зон та ефективної електронної спорідненості.
The structure and electronic properties of the atomically clean Si(113) surface and the Sb/Si(113) system were investigated using electron spectroscopy methods (PES, AES, LEED). It was established that the Sb adsorption on the Si(113) surface leads to work function change due to change of band bending near the surface and effective electron affinity. At annealing of the Sb/Si(113) system at temperature range from 20[degrees] to 750[degrees Celsius] form 1x1 surface phase ([Theta]Sb [is equals approximately] 1.3 ML), 1x2 ([Theta]Sb [is equals approximately] 1.0 ML), 1xn (n=3…4, [Theta]Sb [is equals approximately] 0.5 ML) with distinctive value of band bending and electron affinity.
