кристали, кристалы ; фізика кристалів, физика кристаллов

Встановлено, що електричне поле концентрується всередині дефектних шарів з меншою діелектричною проникністю, а у випадку високої діелектричної проникности дефектного півхвильового шару — на інтерфейсах шарів з низькою та високою діелектричною проникністю. Показано, що збільшення ріжниці в товщині центрального та двох крайніх резонаторів, що утворюють дефекти фотонного кристалу, істотно зростає електричне поле в області резонаторів. За ріжниці в товщині у 40% електричне поле в області резонаторних шарівперевищує електричне поле на вхідній поверхні в 5000 разів.

Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології [Текст] : збірник наукових праць. — Київ : РВВ ІМФ, 2014. — Т. 12, вип. 1.

• Окремі фонди та колекції КНУ // праці авторів КНУТШ, труды авторов КНУТШ, работы авторов КНУТШ