Запропоновано метод, який дозволяе по різниці внутрішнього тертя вільних пружних коливань на сусідніх гармонік f1 i f2 визначать інтегральну густину структурних дефектів, ix розподіл і глибину порушеного шару, для неруйнівного контролю дефектності структури ппідкладок SI після технологічної мвханічної і термічної обробок. Для підкладок Si + SiO2 вимірювана густина дислокацій i глибина порушеного шару.
The method, which is allow to determine from the internal friction difference of free elastic vibrations on neighboring harmonics f1, and f2 to determine the integral structure defects density, their distribution and the depth of broken layer, is offered for indestructive control of structure imperfectness of Si plates after technological mechanical andthermal treatments. The dislocation density and the depth of broken layer are measured for Si + SiO2 plates.
