В даній роботі проведено експериментальні дослідження процесів, що відбуваються під час окислення поверхні Si(001) вкритою субмоношаровим покриттям Cr методами іонізаційної та Оже спектроскопії. Спираючись на термодинамічні характеристики можливих з’єднань проведено аналіз взаємодії
молекулярного кисню з системою (~0,3нм) Cr на поверхні Si(001) та з дисиліцидною острівцевою плівкою Cr на Si(001), що утворилась після відпалу при 450 С
In this paper an experimental study of the processes occurring during oxidation of the Si (001)surface covered with submonolayer Cr was performed by methods of ionization and Auger electron spectroscopy. Based on the thermodynamic properties of possible compounds the interaction of molecular oxygen with the system (~0.3 nm) Cr on Si (001) and thin islands film of chromium disilicide on Si (001), which formed after annealing at 450 C was analyzed.
