прикладна математика, прикладная математика, applied mathematics

Получено выражение для двухчастичной функции Грина (электропроводности) неупорядоченного кристалла. Учитываются процессы рассеяния электронов на потенциалах ионных остовов, флуктуация* спиновой и электронной плотностей и колебаниях кристаллической решетки. Расчеты базируются па диаграммной технике для температурных функций Грина. Получено кластерное разложение для двухчастичной функции Грина. За нулевое одноузельное приближение в кластерном разложении выбирается приближение когерентного потенциала. На примере сплава Feo,5 Соо,5 исследованы условия возникновения спин-зависимого транспорта в системах с сильными электронными корреляциями.

Журнал обчислювальної та прикладної математики [Текст]. — Київ : ТВіМС, 2011. — № 3 (106). — 170 с.

• Окремі фонди та колекції КНУ // праці авторів КНУТШ, труды авторов КНУТШ, работы авторов КНУТШ