Створено комплексну установку для досліджень фото- і рентгенолюмінесценції, темнової, фото- і рентгенопровідності, яка дає змогу одночасно вивчати електричні, оптичні та люмінесцентні характеристики широкозонних напівпровідників та діелектриків. Поєднання взаємодоповнювальних методів досліджень, реалізованих в установці, дає змогу одержувати достовірніші результати та однозначно їх трактувати.
Integrated experimental facility was established for studying of photo- and X-ray stimulated luminescence, dark, photo- and X-ray conductivity. The experimental facility can be used for simultaneously measurement of the electrical, optical and luminescent characteristics of the wide-gap semiconductors and dielectrics. The combination of complementary research methods that are realized in experimental facility allows to obtain more reliable results and to interpret them unambiguously.
