|
Автор: Korotchenkov O.O., Steblenko L.P., Podolyan A.O., Kalinichenko D.V., Teselko P.O., Kravchenko V.M., Tkach N.V.
-
Ключові слова:
кремній, кремний ; магнітне поле, магнитное поле ; фізика напівпровідників, физика полупроводников
-
Анотація:
The effect of static magnetic field (B = 0.17 T) on composition of defects and lifetime of charge carriers in solar silicon crystals has been investigated. Studied in this work was the character of changes in electrical characteristic of solar silicon. These changes are dependent on the time elapsed after the magnetic treatment. The results have been discussed in terms of spin-dependent processes in the subsystem of structural defects.
-
Є складовою частиною документа:
-
Теми документа
-
Окремі фонди та колекції КНУ // праці авторів КНУТШ, труды авторов КНУТШ, работы авторов КНУТШ
|
