Зведений каталог бібліотек Києва
TishchenkoTishchenko, I. Yu. TGA-DSC-MS analysis of silicon carbide and of its carbon-silica precursor [Текст] = Аналіз карбіду кремнію та кремнезем-вуглецевої шихти методом ТГА-ДСК-МС / I.Yu. Tishchenko, O.O. Ilchenko, P.O. Kuzema // Хімія, фізика та технологія поверхні : щоквартальний науковий журнал. — Київ : Інститут хімії поверхні ім. О.О.Чуйка НАНУ, 2014. — Т. 5, № 2. — P. 216-223.
- Ключові слова:
- Анотація:
Pure beta silicon carbide of submicron and micron particle size has been synthesized via carbothermal reduction of nanosilica. The resulted powder and its carbon-silica precursor were characterized by means of FTIR spectroscopy, electron microscopy, andX-ray diffraction. The results of TGA-DSC-MS analysis indicate a possibility to estimate by this technique the carbon content in carbon-silica precursor as well as residual carbon in silicon carbide with the sensitivity about 5 ppm.
Шляхом карботермічного відновлення нанокремнезему було синтезовано бета карбід кремнію високої чистоти з субмікронним та мікронним розміром частинок. Одержаний порошок та кремнезем-вуглецеву шихту охарактеризовано методами інфрачервоної спектроскопії з Фур’є перетворенням,електронної мікроскопії та рентгенівської дифракції. Результати аналізу методом ТГА-ДСК-МС вказують на можливість кількісного визначення цим методом вуглецю в шихті та залишкового вуглецю в карбіді кремнію з чутливістю на рівні 5 ppm.
- Є складовою частиною документа:
Хімія, фізика та технологія поверхні [Текст] : щоквартальний науковий журнал. — Київ : Інститут хімії поверхні ім. О.О.Чуйка НАНУ, 2014. — Т. 5, № 2. — С. 117-242.
- Теми документа